特許
J-GLOBAL ID:200903095431957953
スチレン系樹脂の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-269807
公開番号(公開出願番号):特開平8-134117
出願日: 1994年11月02日
公開日(公表日): 1996年05月28日
要約:
【要約】【目的】 工業的に容易に、ラジカル重合により、ポリシロキサン系ブロックを導入した、撥水性、離型性、表面滑性など表面特性に優れたスチレン系樹脂を製造する方法を提供する。【構成】 スチレン系単量体を重合させるにあたり、下記一般式(A)で示されるポリシロキサン系ブロックを含むアゾ系開始剤をスチレン系単量体に対し0.1〜10wt%の割合で添加し、重合温度80以上160°C未満の温度範囲で重合するスチレン系樹脂の製造方法。【化1】
請求項(抜粋):
スチレン系単量体を重合させるにあたり、一般式(A)【化1】で示されるポリシロキサン系ブロックを含むアゾ系開始剤をスチレン系単量体に対し0.1〜10重量%の割合で添加し、重合温度80以上160°C未満の温度範囲で重合することを特徴とするスチレン系樹脂の製造方法。(式中、R1,R2,R9及びR10はそれぞれ独立して水素原子、低級アルキル基またはシアノ基を表し、R3,R4,R7及びR8はそれぞれ独立して水素原子または低級アルキル基を表し、R5及びR6はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、ハロアルキル基またはフェニル基を表し、l及びpはそれぞれ独立して1〜6の整数を表し、m及びoはそれぞれ独立して0または1〜6の整数を表し、nは0または1〜200の整数を表し、qは2〜20の整数を表す。)
IPC (3件):
C08F 4/04 MEG
, C08F 12/08 MJU
, C08G 77/442 NUK
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