特許

J-GLOBAL ID：200903095438845689

薄膜トランス及び薄膜トランスの製造方法

発明者： 中林 亮 ,  佐々木 義人 ,  梅津 英治 ,  森田 澄人 ,  畑内 隆史
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-285775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114047
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 小型で実装密度を高くすることが可能であり、特性も良好な薄膜トランスを提供する。【解決手段】 基体2の外面に4つの電極4、5、6、7が取り付けられ、基体2の内部に2つの渦巻き状のコイル8、9が互いに離間かつ対向するように設けられ、基体2の内部の2つのコイル8、9の各々の外側に2つの軟磁性膜10、11が2つのコイル8、9とそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、基体2の内部にの2つのコイル8、9の各両端8a、8b、9a、9bと4つの電極4、5、6、7とをそれぞれ接続する導体12、13、14、15が設けられてなることを特徴とする薄膜トランス1を採用する。

請求項（抜粋）：

基体の外面に4つの電極が取り付けられ、該基体の内部に2つの渦巻き状のコイルが互いに離間かつ対向するように設けられ、前記基体の内部の前記2つのコイルの各々の外側に2つの軟磁性膜が前記2つのコイルとそれぞれ離間かつ対向するように設けられ、前記基体の内部に前記の2つのコイルの各両端と前記の4つの電極とをそれぞれ接続する導体が設けられてなることを特徴とする薄膜トランス。

IPC (6件)：

H01F 17/00 ,  H01F 10/12 ,  H01F 27/28 ,  H01F 27/32 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/10

FI (6件)：

H01F 17/00 B ,  H01F 10/12 ,  H01F 27/28 A ,  H01F 27/32 Z ,  H01F 41/04 C ,  H01F 41/10 C

Fターム (33件)：

5E043AA07 ,  5E043AB09 ,  5E043EA03 ,  5E043EA05 ,  5E043EA06 ,  5E043EB01 ,  5E044AA06 ,  5E044AA09 ,  5E044CA03 ,  5E044CA04 ,  5E044CA05 ,  5E044CA07 ,  5E044CA08 ,  5E044CA09 ,  5E044CB10 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA14 ,  5E062DD01 ,  5E062FG01 ,  5E062FG07 ,  5E062FG12 ,  5E070AA11 ,  5E070AB01 ,  5E070BA20 ,  5E070BB02 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070CB18 ,  5E070CC10 ,  5E070EA01 ,  5E070EA10