特許

J-GLOBAL ID：200903095440157080

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松下 重治 ,  松村 浩二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350538
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189779
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】記憶容量の高容量化を可能とする多値論理型の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】電子が走行するチャネル層2の近傍にポテンシャル障壁を介して電子を蓄積するための量子箱4が半導体層3内に設けられた半導体装置において、複数の前記量子箱4が一列に並んでいる量子箱列41a、42a・・が設けられており、また、前記量子箱列41a、42a、・・が互いに平行となっている構造であって前記チャネル層2内での電子の走行方向と前記量子箱列41a、42a・・の方向が互いに交わる方向であり、また、前記各量子箱列41a、42a・・の間に他の量子箱が存在しないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電子が走行するチャネル領域の近傍にポテンシャル障壁を介して電子を蓄積するための量子箱が半導体層または絶縁体層内に設けられた半導体装置において、第1、第2の量子箱が所定間隔を隔てて位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/10 434