特許

J-GLOBAL ID：200903095444051082

電子放出素子、電子源及び画像形成装置

発明者： 西村 三千代
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176379
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 電子放出効率がよく、かつ、電子ビームのサイズを小さくすることが可能な電子放出素子、電子源及び画像形成装置を提供する。【解決手段】 絶縁性の基板1と、基板1上に形成され、電子を放出する電極となる第1電極2と、基板1上に形成される絶縁層3と、絶縁層3上に形成されると共に、第1電極2と非接触の第2電極4と、基板1上に形成されると共に、第1電極2に印加される電圧よりも低い電圧が印加される、第1電極2と非接触の第3電極5と、を備える。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板と、該基板上に形成される第1の電極層と、前記基板上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成されると共に、前記第1の電極層と非接触の第2の電極層と、前記基板上に形成されると共に、前記第1の電極層に印加される電圧よりも低い電圧が印加される、前記第1の電極層と非接触の第3の電極層と、前記第1の電極層に設けられた、電子を放出し得る第1の導電部と、前記第1の導電部と間隙を有して前記第2の電極層に設けられた、電子を放出し得る第2の導電部とを備えることを特徴とする電子放出素子。

IPC (3件)：

H01J 1/316 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

Fターム (13件)：

5C031DD17 ,  5C036EE03 ,  5C036EE04 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EG19 ,  5C036EG22 ,  5C036EH02 ,  5C036EH08 ,  5C036EH26