特許
J-GLOBAL ID:200903095444184023
流動性チップ、それを製造する方法及び使用する方法並びにその方法の実施に用いる装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-035535
公開番号(公開出願番号):特開2004-161595
出願日: 2003年02月13日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
【課題】純度の高いシリコンインゴットの製造ができ、ルツボを損傷させにくい多結晶シリコンでルツボを再装填する方法を提供することである。【解決手段】チョクラルスキー法において用いるルツボに流動性チップを加える段階を備えた多結晶シリコンでルツボを再装填する方法に関するものである。流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ低レベルのバルク不純物と低レベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン粒子から構成される多結晶シリコン粒子群であって、制御粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン粒子群である。流動性チップは、振動フィーダ装置やキャニスターフィーダ装置等の従来型のフィーダ装置を用いてルツボに加えることができる。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
a)多結晶シリコンロッドを細分化する段階と、
b)段階a)での生成物をステップデッキ選別器を用いて選別することにより粒度分布を制御する段階と、
c)段階a)あるいは段階b)またはその両方の段階での生成物から不純物を除去する段階と、を備えた方法。
IPC (2件):
FI (3件):
C30B29/06 502A
, C30B29/06 D
, C30B15/02
Fターム (9件):
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF07
, 4G077CF10
, 4G077EB06
, 4G077EG30
, 4G077HA12
, 4G077PB04
, 4G077PB09
引用特許:
前のページに戻る