特許

J-GLOBAL ID：200903095445577142

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 奥 保成 ,  亀井 英徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-267899
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101140
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 GaNを用いた基板への活性層の積層を最適化するとともに製造工程も削減できるGaNの基板を持つ窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法の提供。【解決手段】 GaNを用いた基板1の表面にInGaNの活性層2を直に接触させて形成し、この活性層2の表面にp型の化合物半導体層を積層形成してその表面にp側電極を形成する半導体発光素子の製造方法において、活性層2を成長させる前に、基板1の表面を、少なくともアンモニアガスまたはこれに加えて窒素ガス及び水素ガスを含む雰囲気ガスの中で熱処理し、基板1の表面の結晶性を高める。

請求項（抜粋）：

導電性であって光透過性の窒化ガリウムを基板とし、前記基板の一面側にn側電極を形成し、前記基板の他面側に窒化インジウムガリウムの活性層を直に接触させて形成するとともに前記活性層の表面にp型の化合物半導体層を積層形成し、前記p型の化合物半導体層の表面にp側電極を形成する半導体発光素子の製造方法であって、前記活性層を成長させる前に、前記基板の表面を、少なくともアンモニアガスを含む雰囲気ガスの中で熱処理する工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (25件)：

5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55 ,  5F045EB11 ,  5F045EB15 ,  5F045HA06