特許
J-GLOBAL ID：200903095448261260
液晶表示素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大原 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201285
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033909
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 遮光膜をマスクとして利用して透明電極のパターニングを行なう。【解決手段】 透明基板10の一方の面に遮光膜11aを形成した後、同遮光膜11aの上面を含めて透明基板10上に電気絶縁層12を形成し、この電気絶縁層12上に透明電極層13を成膜するとともに、同透明電極層13上にネガ型フォトレジスト14を形成し、次に透明基板10の他方の面側(背面側)から遮光膜11aをマスクとして露光し、未露光部分のフォトレジスト14を除去して同未露光部分の下地の透明電極層13を露出させ、この露出された透明電極層13をエッチングした後、残されている露光部分のフォトレジスト14を除去して透明電極13aを形成する。
請求項（抜粋）：
透明電極間に遮光膜を有する液晶表示素子の製造方法において、ガラスなどからなる透明基板の一方の面の上記透明電極間に相当する部位に遮光性を有する金属膜により遮光膜を形成する工程と、同遮光膜上を含めて上記透明基板の一方の面上に電気絶縁層を形成する工程と、同電気絶縁層上に透明電極層を成膜する工程と、同透明電極層上にネガ型フォトレジストを形成する工程と、上記透明基板の他方の面側(背面側)から上記遮光膜をマスクとして露光する工程と、未露光部分の上記フォトレジストを除去して同未露光部分の下地の透明電極層を露出させる工程と、この露出された透明電極層をエッチングした後、残されている露光部分の上記フォトレジストを除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/1335 500
, G02F 1/1333 505
G02F 1/1335 500
, G02F 1/1333 505
