特許
J-GLOBAL ID：200903095452401645
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272765
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109648
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】半導体基板と電気的接続をとるためのコンタクトの形成方法のなかで、ポリシリコンプラグの方法を改良、発展させ1ミクロン以下の大きさのコンタクトにおいて、良好な電気特性を得る。【構成】モリブデンまたはタングステンのシリサイドで,一旦コンタクトをカバーリング(0.05-0.4ミクロン)し、側壁またはコンタクト孔内にシリサイドをのこした後、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンをデポ、再度コンタクト孔を除いてこのシリコンをエッチングしプラグを形成するものである。プラグにリンやボロンをイオン注入し,活性化のアニールをしたのち、アルミ金属配線を形成する。【効果】コンタクトの側壁のシリサイドが層間絶縁膜からの不純物拡散に対するバリアーとなり、良好な電気的特性を有するポリシリコンプラグが形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたMOSトランジスタや抵抗などの素子を有する半導体装置においてゲート配線、ソース・ドレインを形成したのち(1)層間絶縁膜を形成する(2)コンタクトを開口する(3)薄い導電層を形成する(4)コンタクトをのぞいて導電層をエッチング除去する(5)多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンでコンタクトを埋める(6)上記シリコンをコンタクトを除いてエッチオフする(7)コンタクト内のプラグ多結晶もしくはアモルファスシリコンにP型もしくはN型の不純物イオン注入を行う(8)金属配線層を形成する以上の工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/205
, H01L 21/265
, H01L 21/90
