特許

J-GLOBAL ID：200903095457220770

半導体製造装置及びその清掃方法

発明者： 水島 賢子 ,  中村 誠
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142279
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335256
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置の排気系配管及び真空チャンバの内壁に堆積する反応生成物の処理に関し,化学反応を起さず安全に清掃することを目的とする。【構成】 ハロゲンむ雰囲気ガスと金属との化学反応工程を有する半導体製造装置において,内部で化学反応を起こす真空チャンバ1を排気する排気管4の外壁を加熱するヒータ4aと,排気管4及び真空チャンバ1に酸素,オゾン又は水を導入する酸素導入管1b,4bとを有し,清掃に先立って排気管4及び真空チャンバ1内に酸素,オゾン又は水を導入し,排気管4及び真空チャンバ1の外壁を加熱してこれらの内壁上に堆積した反応生成物を酸化するように構成する。

請求項（抜粋）：

ハロゲン含む雰囲気ガス中で該雰囲気ガスと金属とが化学反応する工程を有する半導体製造装置において,該化学反応を内部でさせるための真空チャンバ(1)を排気するために設けた排気管(4)の外壁を加熱するヒータ(4a)と,該排気管(4)に酸素,オゾン又は水の何れかを含むガスを導入する酸素導入管(4b)とを有し,該排気管(4)内部の清掃に先立って該排気管(4)内に酸素,オゾン又は水の何れかを含むガスを導入し及び該排気管(4)の外壁を加熱して該排気管(4)内壁上に堆積した該反応生成物を酸化することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341