バルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274417
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089240
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】見掛け密度が高く、かつ、均一な組織を有するバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法を提供する。【解決手段】アモルファス相を主相とするか、または、結晶粒径もしくは析出相の平均粒径が100nm以下の組織を有する、見掛け密度が2.32g/cm3以上のバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法であって、Si、CおよびNを含む高分子プレカーサーを焼成した後、その粉末を100μm以下に篩い分け、次いで成形し、さらに1000°C以上の温度で、250MPa以上の圧力または応力を加えることにより緻密化する。

請求項（抜粋）：

アモルファス相を主相とするか、または、結晶粒径もしくは析出相の平均粒径が100nm以下の微細多結晶組織を有する、見掛け密度が2.32g/cm3以上のバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法であって、Si、CおよびNを含む高分子プレカーサーを焼成した後、その粉末を100μm以下に篩い分け、次いで成形し、さらに1000°C以上の温度で、250MPa以上の圧力または応力を加えることにより緻密化することを特徴とするバルク状Si-C-N系セラミックス材料の製造方法。

Fターム (12件)：

4G001BA76 , 4G001BA77 , 4G001BB56 , 4G001BC01 , 4G001BC13 , 4G001BC21 , 4G001BC41 , 4G001BC43 , 4G001BC71 , 4G001BE01 , 4G001BE22 , 4G001BE31

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平2-289408
無定形セラミツク材料の高密度化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願昭63-800028 出願人：ダウコーニングコーポレーシヨン

審査官引用 (2件)

特開平2-289408
無定形セラミツク材料の高密度化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願昭63-800028 出願人：ダウコーニングコーポレーシヨン

引用文献：

出願人引用 (2件)

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