特許

J-GLOBAL ID：200903095477103061

ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 栄夫 ,  田久 真也 ,  矢嶋 興一 ,  徳渕 圭介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016037
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213662
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】ダイシング時におけるチッピングを防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から所定の深さの溝22を形成し、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシート26を貼り付け、上記ウェーハの裏面を上記溝に達するまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する特徴としている。ウェーハの裏面を溝に達するまで研削及び研磨することによってウェーハを個々のチップに分離するので、ハーフカット法でダイシングした後、外力を加えて分割する方法やフルカット法でシートまで切り込んで切断し、分離する従来の方法に比してダイシングの際のチッピングを抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から所定の深さの溝を形成する工程と、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシートを貼り付ける工程と、上記ウェーハの裏面を上記溝に達するまで研削及び研磨し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/78 A