特許
J-GLOBAL ID：200903095484140231
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269479
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】半導体装置におけるパンチスルーもしくはリーチスルー電圧のばらつきを小さくする。【解決手段】高濃度層との界面の低濃度p層濃度が、低濃度p層の平均濃度よりも低い。【効果】パンチスルーもしくはリーチスルー電圧を利用した機能の特性ばらつきを低減できる。
請求項（抜粋）：
n型高濃度層とこれらに隣接するp型低濃度層と該p型低濃度層の反対側に隣接する低濃度n層を有し、かつ、空乏層が低濃度p層内を広がり高濃度n層にまで達するいわゆるパンチスルー現象を利用する機能を有し、その機能がパンチスルー電圧に依存する半導体装置において、前記n型高濃度層と低濃度層が隣接している領域における該低濃度p層の濃度が、低濃度p層の平均濃度よりも低いことを特徴とした半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/74 F
, H01L 29/74 E
5F005AA01
, 5F005AA02
, 5F005AA03
, 5F005AA04
, 5F005AB03
, 5F005AD02
, 5F005AE03
, 5F005AF02
, 5F005AH01
, 5F005AH03
, 5F005AH04
, 5F005FA03
, 5F005GA01
