特許

J-GLOBAL ID：200903095486917675

誘電体薄膜と誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 中村 孝則 ,  安藤 陽 ,  竹島 裕 ,  伴野 国三郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066191
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282624
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 TiO2 薄膜について、誘電率が高く、tanδの小さい誘電体薄膜、誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供すること。【構成】 基板13上に下部電極として白金膜4、誘電体薄膜5及び上部電極としてAg電極6を形成してなる誘電体薄膜素子において、誘電体薄膜5の成分がTiO2 にMnを0.1〜0.5mol%添加した組成からなり、誘電体薄膜5はCVD法によって作製され、Mnの添加はTiO2 の成膜と同時に行われる。

請求項（抜粋）：

TiO2 にMnを0.1〜0.5mol%添加含有させたことを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (4件)：

H01B 3/00 ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/12 304 ,  H01G 4/12 415

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-029830
  
• 特開平4-025105