特許
J-GLOBAL ID：200903095488169749
誘導分を有する短絡時にトランジスタを非活動化するために使用する保護回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-001008
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260911
出願日： 1994年01月10日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ある長さの電線によって生じた短絡時に確実な非活動化が生じることを保証する。【構成】 制御回路105は、スイッチンク ゙信号104に応じて半導体スイッチ100をスイッチオンし、及び非活動化信号に応じて半導体スイッチ100をスイッチオフする。非活動化回路106は、非活動化信号を発生する。過電圧検出回路7は、予定値を越える半導体スイッチ1の出力での電圧に応じた過電圧信号を発生する。過電圧検出回路7には、抵抗を通して半導体スイッチ100の出力に接続されたカソート ゙と、タ ゙イオート ゙接続されたトランシ ゙スタのコレクタに接続されたアノート ゙を備えたツェナタ ゙イオート ゙が含まれる。論理回路17は、非活動化回路106にスイッチンク ゙信号と過電圧信号に応じた非活動化信号を発生させるために使用される。
請求項（抜粋）：
負荷のスイッチングに使用可能な半導体スイッチ用保護回路であって、前記半導体スイッチに接続され、スイッチング信号に応じて前記半導体スイッチをスイッチオンし、非活動化信号に応じて前記半導体スイッチをスイッチオフする制御回路と、前記非活動化信号を発生する非活動化回路と、過電圧信号を発生することにより前記半導体スイッチの出力における予定値を越える電圧に応答する過電圧検出回路と、前記過電圧検出回路が、抵抗と、ダイオード接続されたトランジスタと、カソードが前記抵抗を介して前記半導体スイッチの出力に結合されアノードが前記ダイオード接続されたトランジスタのコレクタに結合されているツェナダイオードとを含み、前記過電圧信号が前記ダイオード接続されたトランジスタのエミッタにおいて発生されることと、及び前記スイッチング信号及び前記過電圧信号に応じて前記非活動化回路により前記非活動化信号を発生させる第1の論理回路とからなり、前記第1の論理回路が、接地に接続されたエミッタを有し、抵抗を介してベースにおいて前記スイッチング信号を受信する第1のnpn形トランジスタと、コレクタが抵抗を介してベースに結合され、エミッタが接地に接続されており、ベースにおいて抵抗を介して前記過電圧信号を受信し、前記第1のnpn形トランジスタのコレクタがそのコレクタに結合されている、第2のnpn形トランジスタと、エミッタが抵抗を介して接地に結合され、前記第2のnpn形トランジスタのコレクタがそのベースに結合されている、第3のnpn形トランジスタと、2つのコレクタを有する第1のpnp形トランジスタとを含み、前記第3のnpn形トランジスタのコレクタが前記第1のpnp形トランジスタのベースに結合され、前記第1のpnp形トランジスタのエミッタが正の電源に結合され、前記2つのコレクタの第1のものが前記第1のpnp形トランジスタのベースに結合され、前記2つのコレクタの第2のものが前記非活動化回路に結合されている、保護回路。
引用特許：
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