特許
J-GLOBAL ID：200903095489247565
二酸化硅素上に成長するc軸ペロブスカイト薄膜
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 孝次
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-514148
公開番号（公開出願番号）：特表平8-505265
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：
【要約】c軸配向の層化ぺロブスカイトの中間テンプレ一卜層(14)の手段によって二酸化硅素層(12)上に結晶ぺロブスカィト膜(16)を成長させる方法および生じた構造物。ペロブスカイト膜には、強誘電性ランタンジルコニアチタン酸鉛、または強誘電性物質の電極として使用する伝導性立方金属酸化物が利用できる。
請求項（抜粋）：
請求項1 ペロブスカイト薄膜構造で、下記のものからなるもの: 酸化硅素からなる表面を有する基板; 該酸化硅素上に直接形成した層化ペロブスカイトからなる事実上c軸の配向テンプレート層; 少なくとも一つの該テンプレート層上に形成される結晶学的に配向されたペロブスカイト層。 請求項2 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、該層化ペロブスカイトがチタン酸ビスマスからなるもの。 請求項3 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、該層化ペロブスカイトがタジグステン酸ビスマスからなるもの。 請求項4 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、該層化ペロブスカイトが、本質的にシリコンより簡単に硅酸を形成する陽イオンを含まない化学化合物からなるもの。 請求項5 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、少なくとも一つの結晶学的に配向されたペロブスカイト層が強誘電性層からなるもの。 請求項6 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、少なくとも一つの結晶学的に配向されたペロブスカイト層が超伝導体からなるもの。 請求項7 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、少なくとも一つの結晶学的に配向されたペロブスカイト層が、2つの立方金属酸化層および該金属酸化層の間に配置された中間ペロブスカイト層からなるもの。 請求項8 請求項7記載のペロブスカイト薄膜構造で、中間ペロブスカイト層が強誘電性物質からなるもの。 請求項9 請求項1記載のペロブスカイト薄膜構造で、該基板が結晶シリコンからなり、該酸化硅素が該結晶シリコン上に形成される膜からなるもの。 請求項10 ペロブスカイト薄膜構造で、下記のものからなるもの: 三次元のランダム結晶配向を有する基板; 該基板上に直接形成した層化ペロブスカイトからなる事実上c軸の配向テンプレート層で、該テンブレート層が該基板と化学的にあまり反応しないもの;および 少なくとも一つの該テンプレート層上に形成される結晶学的に配向されたペロブスカイト層。 請求項11 請求項10記載の構造で、該基板がガラス質表面からなるもの。 請求項12 請求項11記載の構造で、該ガラス質表面が酸化硅素からなるもの。 請求項13 ペロブスカイト薄膜構造を形成する方法で、下記のステップからなるもの: c軸方向の膜として該層化ペロブスカイトの成長を助長する成長環境下で、酸化硅素体上に層化ペロブスカイトからなるテンプレート層を蒸着するステップ;および 該テンブレート層上に事実上結晶学的に配向されたペロブスカイト薄膜を蒸着するステップ。 請求項14 請求項13記載の方法で、該層化ペロブスカイトが、本質的にシリコンより簡単に硅酸を形成する陽イオンを含まない化学化合物からなるもの。 請求項15 請求項13記載の方法で、該層化ペロブスカイトがチタン酸ビスマスからなるもの。 請求項16 請求項13記載の方法で、該層化ペロブスカイトがタングステン酸ビスマスからなるもの。
IPC (14件)：
H01L 21/314
, B32B 9/00
, B32B 17/06
, C30B 29/32
, H01F 10/28
, H01G 4/33
, H01G 7/06
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 39/02 ZAA
H01G 4/06 102
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
