特許
J-GLOBAL ID:200903095491439986
布帛の制電加工方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
清水 久義 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-131485
公開番号(公開出願番号):特開平10-325076
出願日: 1997年05月21日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】 布帛と接触した物体の静電気蓄積を有効的に防止するとともに、低湿度条件においても十分な制電性能を発揮させ、かつ布帛に耐久性に優れた制電性能を付与することのできる制電加工方法を提供する。【解決手段】 特定構造を有するスルホン酸塩と、特定構造の4級アンモニウム塩と、特定構造のイミダゾリニウム塩とからなる制電組成物を含有してなる処理剤で布帛の処理を行い、該制電組成物を布帛に付与する。前記4級アンモニウム塩100重量部に対して、スルホン酸塩の配合量を2〜40重量部、イミダゾリニウム塩の配合量を20〜300重量部とするのが好ましい。
請求項(抜粋):
下記一般式(I);【化1】(但し、式中R1 はアルキル基、アルキルアリール基またはアルキルエステル基を示し、Mはアルカリ金属またはNH4 を示す)で表されるスルホン酸塩と、下記一般式(II);【化2】(但し、式中R2 は水素原子またはメチル基を示し、R3 はメチル基またはエチル基を示し、R4 はメチル基またはエチル基を示し、R5 は炭素数1〜6のアルキル基またはベンジル基を示し、Xはハロゲン原子、CH3 SO4 またはC2 H5 SO4 を示し、nは100〜300の範囲の整数を示す)で表される4級アンモニウム塩と、下記一般式 (III);【化3】(但し、式中R6 はアルキル基またはアルケニル基を示し、R7 はアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ベンジル基またはポリオキシエチレン基を示し、R8 はアルキル基、アルケニル基またはアシロイルアミノエチル基を示し、Zはハロゲン原子、CH3 SO4 またはC2 H5 SO4 を示す)で表されるイミダゾリニウム塩と、からなる制電組成物を含有してなる処理剤で布帛の処理を行い、該制電組成物を布帛に付与することを特徴とする布帛の制電加工方法。
IPC (2件):
D06M 13/473
, D06M 13/256
FI (2件):
前のページに戻る