特許
J-GLOBAL ID：200903095493958930
半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121155
公開番号（公開出願番号）：特開平8-314117
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、基板の損傷及び位相遷移層の変形なしに簡単に製造可能で、高集積度の半導体製造用に適用し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】透光性基板上に同一物質の透光部及び位相遷移部を有した位相遷移透光層を形成し、該位相遷移透光層の透光部と位相遷移部間に遮光層を形成し、それら透光部と位相遷移部間の透過率差を減らし、半導体基板上に露光されるパターンの残留現象を減らし、高集積度の半導体製造に適用し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体製造用位相反転マスクであって、透光性基板と、該透光性基板上に形成され透光部とYBI位相遷移部を有した位相遷移透光層と、該位相遷移透光層の位相遷移部と透光部間に所定パターンに形成された遮光層と、を備えた位相反転マスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
