特許
J-GLOBAL ID：200903095494360612
歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213612
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 Cr系歪抵抗膜を用いて実際にブリッジ回路を形成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のTCR及びTCSのバラツキが大きいために歪センサ-に応用した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事が分かった。そこで、温度特性の良い(温度安定性の優れた)歪センサ-を作製するためには、ゲ-ジ率、TCR、TCSに加えてTCR及びTCSのブリッジ内バラツキ(δTCR及びδTCS)が小さい薄膜歪抵抗材料を提供することにある。【構成】 本発明の歪抵抗材料は、クロムを主体とし、2〜15原子%のIIa族元素からなり、基板の上に薄膜として形成した事を特徴とし、ここでIIa 族元素というのは、Mg、Ca、Ba、Beをさす。
請求項（抜粋）：
クロムを主体とし、2〜15原子%のIIa 族元素からなり、基板の上に薄膜として形成された事を特徴とする歪抵抗材料。
IPC (3件)：
G01B 7/18
, G01L 1/18
, H01L 29/84
