特許
J-GLOBAL ID：200903095501815485
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302636
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子裏面側での樹脂充填性を改良して、超薄型化パッケージの未充填不良を防止する。【構成】 ICチップ(半導体素子)1の裏面1aに、樹脂3中に含まれるフィラーの通過を許す通過溝6を設け、通過溝6をモールド金型11のゲート部7及びエアベント部9に対向したICチップ1の側面1bにそれぞれ開口する。ゲート部7から直接下型11b内に注入される樹脂3、及び上型11aを通してエアベント部9側から廻り込んで下型11b内に注入される樹脂3は、ICチップ裏面側に通過溝6により誘導され、通過溝6内に充填されるとともに、ICチップ1の裏面1aを被覆する。このため、ICチップ裏面側での樹脂未充填が防止される。
請求項（抜粋）：
半導体素子がトランスファモールドにより樹脂封止されてなる半導体装置であって、半導体素子は、樹脂封止時にモールド金型内に、素子裏面とキャビティ内底面との間に僅少な樹脂の充填隙間を残して収容されて樹脂封止されるものであり、通過溝を有し、通過溝は、半導体素子の裏面にモールド金型のゲート部からエアベント部側の方向に向けて設けられ、半導体素子の対向側面にそれぞれ開口し、封止樹脂中に含まれるフィラーの通過を許し、素子裏面とキャビティ内底面との間に残された樹脂の充填隙間内に樹脂を誘導するものであり、通過溝は、樹脂封止終了時に樹脂が充填され、半導体素子の裏面は、樹脂で被覆されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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