特許

J-GLOBAL ID：200903095505025420

基板処理装置

発明者： 前田 喜世彦
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221337
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037068
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】ガスノズルまたは熱電対が成膜領域内まで伸張して配置された基板処理装置において、パーティクルの発生を抑制する。【解決手段】成膜領域11内まで伸張して配置されたガスノズル9aを有する基板処理装置において、ヒータ領域15から外れた領域に、内側反応管1bの内壁とガスノズル9aとの距離を確保するためのスペーサ16が設けた構成により、ガスノズル9aの熱膨張などにより、ガスノズル9aが内側反応管1bの内壁とこすれて、ガスノズル9aや内側反応管1bの内壁に付着していた反応生成物がはがれることがなく、パーティクルの発生を抑制することができる。スペーサ16は、内側反応管1bの内壁もしくはガスノズル9aのいずれか一方に固定する。

請求項（抜粋）：

成膜領域内まで伸張して配置されたガスノズルまたは熱電対を有する基板処理装置において、ヒータ領域から外れた領域に、反応管内壁と上記ガスノズルまたは熱電対との距離を確保するためのスペーサを設けたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J

Fターム (13件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA04 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EF03