特許
J-GLOBAL ID：200903095505485960
薄膜形成装置および薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157811
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005520
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 マルチチャンバ構成の薄膜形成装置において、プロセスチャンバ内での活性ガスの混合とチャンバ間でのガスの相互拡散を防ぎ、安全性の向上、搭載可能チャンバ種類の拡充、異物の低減、プロセスの高品質化を達成する。【構成】 CVD成膜を行うCVDチャンバ1を備えたマルチチャンバ構成において、圧力調整用バルブ5およびドライポンプ2を備えたバイパス排気ライン4と、ドライポンプ2とCVDチャンバ1の間に設けられ、ターボ分子ポンプ3を備えた排気ライン4aとをCVDチャンバ1に並列に接続し、並列の排気ライン4aとバイパス排気ライン4の各々にバルブ6、バルブ7およびバルブ8を用いた遮断機構を設け、成膜プロセス中は、ドライポンプ2の単独で排気し、成膜プロセスの前後では、ターボ分子ポンプ3およびドライポンプ2による高速高真空排気を行う。
請求項（抜粋）：
活性ガスを導入して内部の被処理物に所望の薄膜を形成するプロセスチャンバを少なくとも一つ含むマルチチャンバ構成の薄膜形成装置であって、少なくともプロセス実行時に前記プロセスチャンバの排気動作を行う第1の排気ポンプ系と、前記プロセス前後で前記プロセスチャンバ中の残留ガスを急速排気する動作を行う第2の排気ポンプ系を、互いに独立に動作する第1および第2の遮断機構を介して前記プロセスチャンバに並列に接続し、プロセス実行中は前記第1の遮断機構のみを開放し、前記第1の排気系によって前記活性ガスの圧制御および排気を行う第1の動作と、前記プロセスの終了後、前記被処理物の搬出前に前記第2の遮断機構のみを開放し、前記第2の排気ポンプ系によって高真空域まで前記残留ガスを排気する第2の動作とを行うことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (8件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 25/08
, C30B 25/14
, H01L 21/02
, H01L 21/203
