特許

J-GLOBAL ID：200903095506547853

イオン注入装置

発明者： 武山 邦彦
出願人/特許権者： 日新ハイボルテージ株式会社
代理人 (1件)： 成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028953
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 ウエファディスクの軸支、冷却を磁気浮上、熱放射方式で行うこと。【構成】 ウエファディスク1はウエファ2を遠心力により保持し、回転軸4は、スラスト軸受21、ラジアル軸受22、23を有する磁気浮上軸受20で支持される。ウエファディスクのウエファ載置面3の下に放熱部を構成する環状溝32が形成され、この溝に液体窒素温度程度以下に冷却された冷却板33を非接触状態で挿入配置し、ウエファディスクを熱放射により冷却する。ウエファディスクの軸支、冷却機構に機械的接触部が存在しないから、高速回転による低ド-ズ注入、注入品質向上が実現でき、摩擦電気も発生しないためイオンビ-ム電流の測定精度向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

ウエファディスクの磁気浮上軸受手段と、ウエファディスクの熱放射冷却手段とを有することを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-108657
  
• 特公平2-036675
  
• 特開昭56-052860