ファンアウト型ウェハレベルパッケージ構造及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167191
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】ファンアウト型ウェハレベルパッケージ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】適切かつウェハ上のダイ110の間の元来の距離よりも広いダイ110の間の距離を得るために、標準的なダイ110をつまみ上げて新しいベース100上に置く。ファンアウト型パッケージにより、本パッケージ構造はダイ110の寸法よりも広いボールアレイの寸法を有する。さらに、ダイ110は、能動素子又は隣合せの構造若しくは積層構造を有する他のダイ110を用いてパッケージ化されても良い。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

ファンアウト型ウェハレベルパッケージの製造方法であって、第1の複数のダイを、分離ベースに接着するステップと、第1の材料層を前記分離ベースの上に形成して、前記分離ベースの上の第1の複数のダイの間の空間を充填するステップと、前記第1の材料層を硬化するステップと、第2の材料層を前記第1の材料層と前記第1の複数のダイとの上に形成するステップと、前記第1の複数のダイの第1のパッド上の前記第2の材料層の部分的な領域をエッチングして第1の開口を形成するステップと、前記第2の材料層を硬化するステップと、前記第1の開口の上に第1の接触導電層を形成して、前記第1のパッドとそれぞれ電気的に結合するステップと、第1のホトレジスト層を前記第2の材料層と前記第1の接触導電層との上に形成するステップと、前記第1のホトレジスト層の部分的な領域を除去して、第1のファンアウトパターンを形成し、前記第1の接触導電層を露出させるステップと、第1の導電線を前記第1のファンアウトパターンの上に形成するステップであって、前記第1の導電線がそれぞれ前記第1の接触導電層と結合されている、ステップと、残りのホトレジスト層を除去するステップと、第1の分離層を前記第1の導電層と前記第2の材料層との上に形成するステップと、前記第1の導電線の上の前記第1の分離層の部分的な領域を除去して、第2の開口を形成するステップと、前記第1の分離層を硬化するステップと、はんだボールを前記第2の開口上に溶接するステップと、を備える方法。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (1件)：

H01L23/12 501P

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第5,629,835号
米国特許第5,239,198号
台湾特許第177,766号

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審査官引用 (5件)

多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-084434 出願人：イビデン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-005777 出願人：カシオ計算機株式会社
ICパッケージの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033130 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス

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