貼合せSOIとその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：猪熊克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250155
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086540
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】デバイスを組み込んだときの酸化膜耐圧が十分に高く、したがってデバイスの歩留りを向上することができる貼合せSOI5とその製造方法を提供する。【構成】基板9上に、絶縁層8を介して、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であるエピタキシャル層7が貼り合わせられたことを特徴とし、また、第1のウェハ6上にエピタキシャル層7を成長させ、この第1のウェハ6と第2のウェハ9との少なくともいずれか一方に絶縁層8を形成し、エピタキシャル層7側を接着面として第1のウェハ6を第2のウェハ9上に重ね合わせて両ウェハ6,9を接着し、第1のウェハ6の全部とエピタキシャル層7の一部を除去して半導体ウェハ5に形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：