半導体基板用熱処理炉

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211924
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055154
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の面内における均一な熱処理を行うことができ、製品歩留まり及び電気的特性の向上を図ることが容易な熱処理炉を提供する。【構成】本発明に係る半導体基板用熱処理炉は、立姿勢で並列配置された多数枚の半導体基板Wを搭載して炉芯管10内に装入される基板搭載用ボート1を備えており、この基板搭載用ボート1の基板支持位置ごとには半導体基板Wと同程度の熱容量を有する素材からなる基板支持具2が取り付けられていることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

立姿勢で並列配置された多数枚の半導体基板(W)を搭載して炉芯管(10)内に装入される基板搭載用ボート(1)を備えており、この基板搭載用ボート(1)の基板支持位置ごとには半導体基板(W)と同程度の熱容量を有する素材からなる基板支持具(2)が取り付けられていることを特徴とする半導体基板用熱処理炉。

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