特許
J-GLOBAL ID：200903095509253397
ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258375
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【目的】基板への密着性が良好で、且つ、応答感度の良好な酸化物半導体膜を素子部に用いたガスセンサを提供する。【構成】Zn2SnO4を含むSnO2とZnOを主体とする2元系酸化物半導体からなる感ガス体を、アルミナ基板上に形成したくしの歯状の電極の上に形成するする。前記アルミナ基板には素子特性を制御するための厚膜式或いは薄膜式のヒータが内蔵されている。前記2元系酸化物半導体には、検出感度を向上させる目的でPd、Pt、Co、Cu、Au等の金属を添加することができる。
請求項（抜粋）：
被検雰囲気中に含まれる可燃性ガスの濃度を、酸化物半導体を主体とする感ガス体を用いて電気信号として検出するガスセンサであって、発熱体を一体化した絶縁基板と、該基板の表面に形成された一対のくしの歯状の電極と、該電極の表面に形成されたSnO2とZnOとZn2SnO4とからなる感ガス体とを有することを特徴とするガスセンサ。
Fターム (12件)：
2G046AA02
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BC04
, 2G046BE03
, 2G046EA02
, 2G046FB02
, 2G046FC02
, 2G046FE09
, 2G046FE11
, 2G046FE29
, 2G046FE31
