特許

J-GLOBAL ID：200903095518077305

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085317
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 個々の露光装置に固有の転写パターンの歪みを補正して高精度のパターン転写を実現する。【解決手段】 特定の露光装置に固有の転写パターン歪みを補正するための補正歪みが付与された集積回路パターンを有するフォトマスクa1〜a3を製造し、特定の露光装置X1を示す露光装置識別マークEをフォトマスクa1の製造時に形成することで、当該フォトマスクと特定の露光装置X1を対応付ける方法、またはフォトマスクa2のマスク製造番号等の識別マークD3と特定の露光装置X2とを対応つけて管理するマスク露光装置組合わせデータを用いて両者を対応付ける方法、またはフォトマスクa3を、特定の露光装置X3と対応付け可能に保管する方法にて、特定の露光装置X1〜X3と当該露光装置に固有の転写パターン歪みを補正するフォトマスクa1〜a3とを組み合わせて使用する。

請求項（抜粋）：

露光装置を用いたフォトリソグラフィにて露光原版のパターンを半導体ウェハに転写する半導体集積回路装置の製造方法であって、個々の前記露光装置に固有の転写歪みに関し、露光原版の位置座標に対応したパターン寸法歪み、パターン位置歪みの少なくとも一方を測定する第1の工程と、特定の前記露光装置に固有の前記転写歪みを打ち消すための特定の補正歪みが付与された前記パターンを特定の前記露光原版に形成する第2の工程と、特定の前記露光原版を対応する特定の前記露光装置に装着、確認して前記パターンを前記半導体ウェハに転写する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (3件)：

H01L 21/30 502 G ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BA08 ,  2H095BB36 ,  2H095BD03 ,  2H095BD06 ,  2H095BE04 ,  5F046AA18 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046DA13 ,  5F046DD04