特許
J-GLOBAL ID：200903095518720526
縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151867
出願日： 1992年11月13日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 トレンチ構造の縦型MOSトランジスタのオン抵抗を低くし高耐圧化し、さらに工程を簡略化する。【構成】 N型の半導体基板1の表面に網目状に積層して形成されたP型のウェル拡散層5とN型のソース拡散層6と、それらの間の溝の絶縁膜17に埋設されたポリシリコン層4のゲートが設けられている。ソース拡散層6の下部のウェル拡散層5の下方に延長する深いP型拡散層14が設けられている。ウェル拡散層5とソース拡散層6はイオン注入と熱拡散により形成される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の表面に網目状に積層して形成された第2の導電型のウェル拡散層と第1の導電型のソース拡散層と、これらの間の溝の絶縁膜に埋設されたゲートとを有するトレンチ構造の縦型MOSトランジスタにおいて、ソース拡散層の下部のウェル拡散層の下方に延長する深い第2の導電型の拡散層を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタ。
引用特許：
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