特許
J-GLOBAL ID：200903095520792437
プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136831
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083697
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ反応装置において、一時的な圧力の増加や一時的なRF電力の増強を行わずに、低圧プラズマ処理のための確実なプラズマ生成を達成すること。【構成】 半導体基板のプラズマ処理を実行するための本発明のプラズマ反応装置は、内部にガスを導入するための装置を有する真空チャンバと、その真空チャンバのある部分に巻き付きRF電源に接続された誘導コイルと、真空チャンバの誘導コイルが巻き付いている領域の付近に配置され、前記真空チャンバの内部のガスにRF電力を容量結合させるためのRF電源に接続された電極とを有する。この電極は真空チャンバの誘導コイルが巻き付いている領域に対向する表面領域を有し、その表面領域は、プラズマの生成を十分に促進するために、真空チャンバの誘導コイル巻付領域のガスに対してRF電力を容量結合させるのに十分な大きさを有する。しかし、この表面領域は、プラズマの安定状態が維持されている間、RF電源からプラズマに結合しているRF電力のほとんどが容量結合というよりも誘導結合するように十分に小さい。
請求項（抜粋）：
半導体基板のプラズマ処理を実行するためのプラズマ反応装置において、内部にガスを導入するための手段を含む真空チャンバと、前記真空チャンバの所定の領域に巻回され、RF電源に接続された誘導コイルと、前記所定領域の近傍にあり、RF電力を前記真空チャンバ内の前記ガスに容量結合させるために前記RF電源に接続された補助電極とを備え、前記補助電極は前記所定領域に向いた表面領域を有すると共に、プラズマの生成を十分に促進するために必要な前記真空チャンバ内の前記ガスとRF電力との容量結合を制限するのに適する前記所定領域の範囲を覆っており、これによりプラズマの安定状態が維持されている間において前記RF電源から前記プラズマに結合しているRF電力のほとんどが容量結合よりも誘導結合するようにしたことを特徴とするプラズマ反応装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
