特許
J-GLOBAL ID：200903095527710533
多重ビーム型ダイオードレーザアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317423
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211991
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 複数のレーザ光線を放出する半導体ダイオードレーザアレイを提供する。【構成】 本発明の半導体ダイオードレーザアレイは、異なる材料から作られた半導体ダイオードレーザを接合して作られる。本発明の半導体ダイオードレーザは、GaAs/AlGaAsの組やGaInP/AlGaInPの組等の組の材料から作ることができる。半導体ダイオードレーザアレイは、所定の第1波長のビームを発する複数の活性領域を有し、表面の縁の近くに電気接続部を有する第1半導体ダイオードレーザと、所定の第2波長のビームを発する複数の活性領域を有し表面の縁の近くに電気接続部を有する第2半導体ダイオードレーザと、両レーザの間に配置され、2つの半導体ダイオードレーザ間に電気的絶縁と間隔を与える絶縁体とから成るモノリシックアレイである。各ダイオードレーザはその波長および材料に最適な異なる構造にでき、これらのダイオードレーザを組み合わせると、異なる特性をもつ複数のレーザ光線を放出する単一光源となる。
請求項（抜粋）：
それぞれがレーザビームを放出する複数の活性領域を有し、各活性領域のレーザビームが所定の第1波長を有する第1半導体ダイオードレーザであって、各活性領域が該第1半導体ダイオードレーザの表面の縁の近くに電気接続部を有する第1半導体ダイオードレーザと、それぞれがレーザビームを放出する複数の活性領域を有し、各活性領域のレーザビームが所定の第2波長を有する第2半導体ダイオードレーザであって、各活性領域が第2半導体ダイオードレーザの表面の縁の近くに電気接続部を有する第2半導体ダイオードレーザと、前記第1半導体ダイオードレーザと前記第2半導体ダイオードレーザとの間に配置され、前記2つの半導体ダイオードレーザ間に電気的絶縁と間隔を与える絶縁体とから成ることを特徴とする多重ビーム型ダイオードレーザアレイ。
IPC (2件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
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特開昭54-107689
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特開昭62-115795
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