特許
J-GLOBAL ID:200903095529284000

プラズマCVD成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 今下 勝博 ,  岡田 賢治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-349190
公開番号(公開出願番号):特開2005-113202
出願日: 2003年10月08日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】本発明は、プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にCVD膜を成膜する装置において、プラズマ密度を高めることを目的とする。【解決手段】本発明に係るCVD成膜装置は、外部電極に設けたプラスチック容器を収容するための空所の壁面全体若しくは壁面の一部に、外部電極の電極材料よりも2次電子放出係数が大きい材料からなる2次電子放出層を設けたことを特徴とする。また、外部電極と絶縁状態で、容器の内部に挿脱可能に配置される内部電極の表面全体若しくは表面の一部に、内部電極の電極材料よりも2次電子放出係数が大きい材料からなる2次電子放出層を設けたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
プラスチック容器を収容するための空所を有し、前記プラスチック容器の容器内部ガスと容器外部ガスとが相交わらないように前記プラスチック容器を前記空所に収容し得る真空チャンバーを兼用する外部電極と、該外部電極と絶縁状態で、前記プラスチック容器の内部に挿脱可能に配置される内部電極と、プラズマ化させるための原料ガス若しくは放電ガスである前記容器内部ガスを前記プラスチック容器の内部に導入する容器内部ガス導入手段と、プラズマ化させるための原料ガス若しくは放電ガスである前記容器外部ガスを前記空所に導入する容器外部ガス導入手段と、前記外部電極に高周波を供給する高周波供給手段と、を備え、前記プラスチック容器の内表面又は外表面の少なくともいずれか一方にCVD膜を成膜するプラズマCVD成膜装置であって、 前記外部電極の空所の壁面全体若しくは壁面の一部に、外部電極の電極材料よりも2次電子放出係数が大きい材料からなる2次電子放出層を設けたことを特徴とするプラズマCVD成膜装置。
IPC (4件):
C23C16/509 ,  B65D23/02 ,  B65D23/08 ,  B65D25/34
FI (4件):
C23C16/509 ,  B65D23/02 Z ,  B65D23/08 B ,  B65D25/34 C
Fターム (22件):
3E062AA09 ,  3E062AB01 ,  3E062AB02 ,  3E062AB14 ,  3E062AC02 ,  3E062JA01 ,  3E062JA07 ,  3E062JA08 ,  3E062JB24 ,  3E062JD01 ,  4K030BA28 ,  4K030CA07 ,  4K030CA15 ,  4K030CA16 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA11
引用特許:
出願人引用 (1件)

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