特許
J-GLOBAL ID：200903095536920893
イオン濃度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-249824
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 参照電極に要求される性能を具備するとともに、マイクロ化が可能な固体参照電極を用いてマイクロ化が可能なイオン濃度センサを提供すること。【構成】 絶縁ゲート膜2上にイオン感応膜5を成膜してなるイオン感受性電界効果型トランジスタ7と、水素化パラジウムよりなる固体参照電極6とを電源回路Fで接続してなるものである。【効果】 固体参照電極を用いたので、長期安定性、再現性が向上するとともに、マイクロ化が容易にできるようになる。また、イオン濃度センサ自体をマイクロ化することが可能となり、各種イオン用ISFETを複合化できて複数のイオン濃度を同時に測定できるセンサがえられる。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート膜上にイオン感応膜を成膜してなるイオン感受性電界効果型トランジスタと、水素化パラジウムよりなる固体参照電極とを電源回路で接続してなるイオン濃度センサ。
FI (2件)：
G01N 27/30 301 A
, G01N 27/30 301 X
