特許
J-GLOBAL ID：200903095540410093
ジョセフソン接合素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西岡 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268086
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076456
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 特殊な集束イオンビーム装置や高精度のXYステージを用いなくても、イオン注入によりノックアウト効果を利用したジョセフソン接合部を形成できるジョセフソン接合素子製造方法を提供する。【解決手段】 基板7上に下部電極1が形成され、その上に絶縁層3が形成され、さらにその上に上部電極2が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜5を塗布してマスキング処理を行う。次に、イオン注入装置によってイオンビームを照射する。イオンビームはフオトレジスト膜5でマスキングされた部分はフオトレジスト膜5によって遮断されるが、塗布されていないウインドウ部分ではイオンビームは絶縁層3にまで到達し、その部分の絶縁層は酸素または窒素の低濃度領域となって電気的に弱結合状態にあるジョセフソン接合部4が形成される。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に集積化され、絶縁層を挟んだ2つの超伝導電極にイオンビームを照射して、イオン注入することにより絶縁層の原子を叩き出すノックアウト効果を利用し、部分的に還元させることで超伝導電極間の弱結合を形成してジョセフソン接合部を作製するようにしたジョセフソン接合素子の製造方法において、イオン注入の不必要な箇所にマスキングを施してウエハにイオンビームを照射し、選択的にイオン注入するようにしたことを特徴とするジョセフソン接合素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/24 ZAA J
4M113AA04
, 4M113AA14
, 4M113AA27
, 4M113AA37
, 4M113AA60
, 4M113AC06
, 4M113AC24
, 4M113BB07
, 4M113BC02
, 4M113BC08
, 4M113CA13
