特許
J-GLOBAL ID：200903095547891178
露光方法およびその露光システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190443
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】半導体デバイス製造における露光処理において、露光装置間の機差による変動が大きいため、露光工程、露光装置毎にテストウエハを用いて露光エネルギーおよびフォーカスオフセット値を算出する露光条件出し作業が行われる。多品種少量生産の半導体デバイスの製造において、この露光条件出し作業の回数が増加するため、露光装置の稼働率が低減し、半導体デバイスのTATが増加する。また、半導体デバイスの微細化が進むにつれ、露光装置間の機差により、露光処理起因の不良が発生し、半導体デバイス製造の歩留りが低下する。【解決手段】半導体デバイスの露光処理において、予め取得した複数の露光装置の投影レンズ収差を用いて露光装置、投影光学系の照明条件、フォトレジスト条件、回路パターン情報に応じた露光エネルギーおよびフォーカスオフセット値を光学・現像シミュレータを用いて算出し、複数の露光装置の中からプロセスウィンドウが一定許容値を満たす露光装置を用いて露光処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体半導体デバイスに所定のパターンを転写する露光処理において、パターン転写を行う際の照明条件、フォトレジスト条件、回路パターン情報及び複数の露光装置にそれぞれ用いる投影レンズの収差情報とをデータベースから読み出し、パターン転写を行う際の前記照明条件、前記フォトレジスト条件、前記回路パターン情報及び前記複数の収差情報に基づいて光学・現像シミュレーションを実行し、露光エネルギーとフォーカスの余裕度および露光エネルギーとフォーカスオフセット値の最適値を算出し、複数の露光装置のうち露光エネルギーおよびフォーカスの余裕度が一定の許容値を満たす露光装置を用いて露光処理を実施することを特徴とする半導体デバイスの露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/02
G03F 7/20 521
, G03F 9/02 H
, H01L 21/30 502 G
5F046AA28
, 5F046DA02
, 5F046DA14
