特許

J-GLOBAL ID：200903095548873300

フッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法

発明者： 松井 二三雄 ,  南波 洋一
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-230215
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：

【要約】【目的】 強靱さ、硬度、耐熱性が高く、かつ耐汚染性、離型性を向上させた高分子量のフッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法を得る。【構成】 下記一般式(1)において、全側鎖R1の50〜99モル%がメチル基であり、1〜20モル%が下記一般式(2)で示されるフルオロアルキル基であり、残部が炭素原子数2ないし3個のアルキル基、あるいは置換または非置換フェニル基であり、R2が炭素原子数1ないし3個のアルキル基または水素原子であり、mが整数であり、数平均分子量が10000以上である。【化1】【化2】(但し、一般式(2)において、R3は炭素数1ないし12個の非置換または置換二価炭化水素基、nは0〜10の整数である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるポリオルガノシルセスオキサンにおいて、全側鎖R1の50〜99モル%がメチル基であり、1〜20モル%が下記一般式(2)で示されるフルオロアルキル基であり、残部が炭素原子数2ないし3個のアルキル基、あるいは置換または非置換フェニル基であり、R2が炭素原子数1ないし3個のアルキル基または水素原子であり、mが整数であり、数平均分子量が10000以上であることを特徴とするフッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサン。【化1】【化2】(但し、一般式(2)において、R3は炭素数1ないし12個の非置換または置換二価炭化水素基、nは0〜10の整数である。)

IPC (2件)：

C08G 77/24 NUH ,  C01B 33/00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-020331
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-020331
  
• 特開平3-020331
  
• 特開平3-020331