特許

J-GLOBAL ID：200903095549999820

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法

発明者： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084016
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に関し、強磁性トンネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向上させる旨の簡単な手段を採ることに依って、抵抗変化率が大きく、且つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実現しようとする。【解決手段】 強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下となるようにする。

請求項（抜粋）：

強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (12件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01