特許

J-GLOBAL ID：200903095557928223

有機無機複合超格子型光変調器

発明者： 今西 泰雄 ,  石原 慎吾 ,  浜田 智之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-142086
公開番号（公開出願番号）：特開平10-333192
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】半導体変調器の高非線形性と有機変調器の高速応答性を兼ね備えた新規な光変調器の提供にある。【解決手段】光を入出射することが可能で、外部から制御された電場または光により光の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変調することが可能な有機無機複合超格子型光変調器において、該光変調器が少なくとも1種の化合物半導体層1および少なくとも1種の有機化合物層2を含み、かつ、化合物半導体層1と有機化合物層2とが少なくとも1周期以上交互に積層されており、かつ、該化合物半導体層1または該有機化合物層2のうち少なくとも1つが結晶性で、かつ、各層の厚みは該化合物半導体のボーア半径よりも大きくそれの10倍以下である有機無機複合超格子型光変調器にある。

請求項（抜粋）：

光を入出射することが可能で、外部から制御された電場または光により光の透過率、反射率、屈折率等の光学特性を変調することが可能な有機無機複合超格子型光変調器において、該光変調器が少なくとも1種の化合物半導体層1および少なくとも1種の有機化合物層2を含み、かつ、化合物半導体層1と有機化合物層2とが少なくとも1周期以上交互に積層されており、かつ、該化合物半導体層1または該有機化合物層2のうち少なくとも1つが結晶性で、かつ、各層の厚みは該化合物半導体のボーア半径よりも大きくそれの10倍以下であることを特徴とする有機無機複合超格子型光変調器。