特許
J-GLOBAL ID：200903095558832351
単層カーボンナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292313
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、触媒担体としての多孔質材料や触媒微粒子を必要とせずに、直径を制御して単層カーボンナノチューブを製造することができる単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 グラファイトの生成において触媒作用を有する金属系触媒と、その金属系触媒の結晶粒度および結晶方位とに対応関係を有する単結晶基板との組み合わせを用い、この単結晶基板に金属系触媒を分散させ、500°C以上の温度範囲で炭素原料を供給することで、直径が制御された単層カーボンナノチューブを気相熱分解成長させて製造する。
請求項（抜粋）：
グラファイトの生成において触媒作用を有する金属系触媒と、その金属系触媒の結晶粒度および結晶方位とに対応関係を有する単結晶基板との組み合わせを用い、この単結晶基板に金属系触媒を分散させ、500°C以上の温度範囲で炭素原料を供給することで、単層カーボンナノチューブを気相熱分解成長させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。
Fターム (12件)：
4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146BA12
, 4G146BB05
, 4G146BB15
, 4G146BC03
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC42
, 4G146BC43
, 4G146BC44
, 4G146CB17
