特許

J-GLOBAL ID：200903095563931066

SOI基板の製造方法

発明者： 中井 哲弥 ,  冨澤 憲治 ,  中嶋 健
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329996
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 少ないイオン注入量で効率的にイオン注入領域に気泡を発生させて半導体基板をイオン注入領域で分離し、SOI基板の生産性を向上させる。【解決手段】 第1シリコン基板11の表面に酸化膜12を形成する。第1基板の表面から水素ガスイオン、水素分子イオン、ヘリウムイオン及びシリコンイオンからなる群から選ばれた1種又は2種のイオンを注入して第1基板内部にイオン注入領域11aを形成する。第1基板を水素雰囲気中400°C以下の温度で熱処理する。第1基板を酸化膜12を介して第2シリコン基板13に重ね合わせて密着させる。第1基板を第2基板に密着させたまま500〜800°Cの温度で熱処理して第1基板をイオン注入領域11aで第2基板から分離し、これにより第2基板の表面にシリコン層11bを形成する。表面にシリコン層11bを有する第2基板を更に熱処理する。

請求項（抜粋）：

第1シリコン基板(11)の表面に酸化膜(12)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)の表面から水素ガスイオン、水素分子イオン、ヘリウムイオン及びシリコンイオンからなる群から選ばれた1種又は2種のイオンを注入して前記第1基板(11)内部に前記酸化膜(12)に平行なイオン注入領域(11a)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)を水素雰囲気中において400°C以下の温度で熱処理する工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記酸化膜(12)を介して支持基板となる第2シリコン基板(13)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記第2シリコン基板(13)に密着させたまま500〜800°Cの温度で熱処理して前記第1シリコン基板(11)を前記イオン注入領域(11a)で前記第2シリコン基板(13)から分離し、これにより前記第2シリコン基板(13)の表面にシリコン層(11b)を形成する工程と、表面に前記シリコン層(11b)を有する前記第2シリコン基板(13)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B