半導体レーザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110188
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するものである。半導体レーザの端面に特定の膜厚で、かつ特定の屈折率差を有する材料で端面反射膜を形成することで、光出力の減少量を小さい半導体レーザを歩留まり良く作製する。【構成】 (AlxGa1-x)0.5In0.5P系半導体レーザの両端面に、117.2nmのSiO2膜1及び919nmのSiN膜2を堆積する。2つの膜の膜厚は半導体レーザの発振波長をλ、屈折率をnとすると、λ/(4n)の膜厚に相当する。この端面反射膜の反射率は48%である。

請求項（抜粋）：