特許
J-GLOBAL ID：200903095571974807

誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに積層セラミックコンデンサ

発明者：
井上 徳之

井上 徳之 について

, 
佐野 晴信

佐野 晴信 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-016090
公開番号（公開出願番号）：特開2006-199563
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 高電界下での電歪が小さく、かつ誘電率が高く温度特性が良好な誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ABO3(AはBaを含み、BはTiを含む)で表され、かつ希土類元素Rを含むペロブスカイト構造からなる固溶体を主相粒子とし、前記主相粒子が、2つの領域、すなわち前記希土類元素の濃度が高い第1領域と前記希土類元素の濃度が低い第2の領域から構成される誘電体セラミックにおいて、 前記誘電体セラミックの任意の断面を観察したとき、前記第2の領域の直径の分布におけるD90値が0.25μm未満であることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ABO3(AはBaを含み、BはTiを含む)で表され、かつ希土類元素Rを含むペロブスカイト構造からなる固溶体を主相粒子とし、前記主相粒子が、2つの領域、すなわち前記希土類元素の濃度が高い第1の領域と前記希土類元素の濃度が低い第2の領域から構成される誘電体セラミックにおいて、 前記誘電体セラミックの断面を観察したとき、前記第2の領域の直径の分布におけるD90値が0.25μm未満であることを特徴とする、誘電体セラミック。
IPC (4件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (4件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E
Fターム (39件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082PP03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM