特許

J-GLOBAL ID：200903095573050661

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： 山岸 万千雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029587
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 ゲート絶縁膜に与えるダメージが小さく、情報の書き込み消去の繰り返し回数を増大させることが可能な不揮発性半導体メモリ装置を提供することである。【構成】 DSA構造を用いてE2 P-ROM20を構成しいる。このE2 P-ROM20は、フローティングゲート36とコントロールゲート40とを有する。このROM20では、実効チャネル32を構成する例えばP++層以外のチャネル領域50にリン等をイオン注入し、常にデイプレッション状態にしておき、情報消去時の電子の放出経路となるソース領域28またはドレイン領域30と同電位になるようにしてある。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層に所定間隔でソース領域とドレイン領域とが形成してあり、これら領域間に位置するチャネル領域である半導体基板表面に、ゲート絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートとが積層してあり、上記ソース領域またはドレイン領域の下層側周囲に実効チャネル領域が形成してある不揮発性半導体メモリ装置であって、上記実効チャネル領域以外のチャネル領域をデプレッション型とし、情報消去時の電子の放出経路となるソース領域またはドレイン領域と同電位になるようにしてあることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371