半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274139
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131108
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザにおいて、レーザ特性を損なうことなく放射角を制御して光ファイバへの結合を向上させる。【構成】出射端面より30μm離れたところからはレーザ発振領域であり、活性層厚は0.12μm、活性層組成は1.3μmになっており、端面側10μmのところはモード変換領域として活性層厚が0.08μmと薄くなって、活性層組成が1.28μmと短波長化している。

請求項（抜粋）：

選択成長によって活性層および導波路層が形成される半導体レーザにおいて、端面付近において導波路層厚が薄くされるか、または導波路層幅が狭くされ、かつ導波路層組成が短波長化されていることを特徴とする半導体レーザ。

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