特許

J-GLOBAL ID：200903095573801268

多層配線基板の製造方法

発明者： 樋口 和人 ,  山田 浩 ,  斉藤 雅之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202330
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058201
出願日： 1993年08月16日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高密度化が容易で信頼性の高い多層配線を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、基板上に形成された第1の配線層3上に層間絶縁膜4を形成し、これにコンタクトホール9を形成した後、基板表面全体を導電膜5,6で被覆し、この導電膜5,6を電極として、凹部に厚いめっき膜7が得られ、平坦な表面を得るような条件で電気めっきを行い、表面の平坦化を行った後、このめっき膜にコンタクトするように第2の配線層8を形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面またはこの上層に形成された第1の配線層上に層間絶縁膜を形成し、これにコンタクトホールを形成する工程と、前記基板表面全体を導電膜で被覆し、この導電膜を電極として、凹部に厚いめっき膜が得られるような条件下で電気めっきを行い表面を平坦化する工程と、前記層間絶縁膜上のめっき膜を除去し前記コンタクトホール内のめっき膜を選択的に残留せしめるように前記めっき膜を等方エッチングする工程と、このめっき膜にコンタクトするように第2の配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表平4-507326
  
• 特開平2-045996
  
• 特開昭57-100750
  
• 特開平2-153531