特許

J-GLOBAL ID：200903095574839838

BSF型太陽電池の製造方法

発明者： 寒川 泰紀 ,  岡安 良宣
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106611
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 光電変換効率の高いBSF型太陽電池を安定して製造できる方法を提供すること。【構成】 n-単結晶シリコン(以下、Si)基板1と、この光入射側面に設けられたp型のポリSi層2と、反対側面に設けられSi基板との間でHL接合を形成するn+ポリSi層5を備えるBSF型太陽電池の製造方法であり、上記n+ポリSi層をB2H6/SiH4/SiF4を原料ガスとする熱CVD法により形成することを特徴とする。この方法によれば、ハロゲン原子を放出するSiF4 を適用しているにも拘らず製膜室内における浮遊異物の発生を防止でき、かつ、熱CVD法を適用しているにも拘らず基板加熱温度の低減を図ることが可能となるため、n+ポリSi層の膜質が改善されて光電変換効率の高いBSF型太陽電池を安定して製造できる効果を有している。

請求項（抜粋）：

n型又はp型シリコン基板と、このシリコン基板の光入射面側に設けられシリコン基板との間でpn接合を形成するp型又はn型シリコン層と、上記シリコン基板の反対面に設けられシリコン基板との間でHL接合を形成するn+又はp+シリコン層とを備えるBSF型太陽電池の製造方法において、n型又はp型シリコン基板を配置した製膜室内にシリコン原子が含まれる製膜ガスとSiF4 ガス及びn型又はp型のドーパントガスを供給し、かつ、上記供給ガスを加熱されたシリコン基板近傍で熱分解させると共に、熱分解された製膜ガスのラジカル成分と上記SiF4 ガスとの反応により生じたフッ素系ラジカルをエッチング成分として作用させながらn型又はp型シリコン基板面に上記n+又はp+シリコン層を形成することを特徴とするBSF型太陽電池の製造方法。