電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036913
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131032
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】高速動作の電界効果トランジスタを提供すること。【構成】シリコン基板1上にシリコン酸化膜2を介して高抵抗p型シリコン層3が形成される。層3の表面にソース層7及びドレイン層4が選択的に形成される。ソース層7とドレイン層4との間のチャネル領域上にゲート絶縁膜8を介してゲート電極9が配設される。ゲート電極9の下にn型反転層を誘起するため、層3内に拡散層6が形成される。n型ドレイン層4とp型層3とのpn接合から延びる空乏層が熱平衡状態において酸化膜2に至る。チャネル領域において、ドレイン層4と拡散層6との間に層3が介入し、熱平衡状態において、ドレイン層4と拡散層6が空乏層の一部により接続される。

請求項（抜粋）：

保持層と、前記保持層上に形成された、半導体からなる活性層と、前記活性層の表面に形成された第1導電型のソース層と、前記ソース層に接続されたソース電極と、前記ソース層と接触しないように前記活性層の表面に形成された第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層に接続されたドレイン電極と、前記ソース層と前記ドレイン層との間で前記活性層の表面に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記チャネル領域内に第1導電型の反転層を誘起するため、前記チャネル領域内で前記活性層の表面に形成された第2導電型の拡散層と、を具備し、前記トランジスタの動作状態において、前記活性層内に前記ドレイン層から前記保持層に亘る空乏層が形成される電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭53-113483
特開平3-290948
特開平4-042578

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審査官引用 (7件)

特開昭53-113483
特開昭53-113483
特開平3-290948

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