特許
J-GLOBAL ID：200903095575707315
ホスト基板上に半導体構造を形成する方法および半導体構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047152
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252224
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 ホスト基板上に実質上単結晶または多結晶の半導体構造を安価に製作する方法を提供すること。【解決手段】 この方法は、サファイア基板上に窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムなどの広バンド・ギャップの窒化物材料の層を付着させることから始まる。次に、この窒化物層上にシリコン構造を成長させる。次に、ボンディング剤によってホスト基板を半導体構造の露出表面領域にボンディングする。ガリウム、アルミニウム、またはインジウムから窒素が解離されるメタライゼーション手順を使用して、サファイア基板をリフトオフする。
請求項（抜粋）：
ホスト基板上に実質的に単結晶または多結晶の半導体を形成する方法であって、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、およびそれらの合金から成るグループから選択された1つまたは複数の窒化物膜から成る窒化物材料の層をサファイア基板の第1の表面に付着させるステップと、半導体構造を形成するための1つまたは複数の半導体材料の層を前記窒化物材料上に成長させるステップと、前記サファイア基板と、前記窒化物材料と、前記半導体構造と、前記ホスト基板とから成る複合構造を形成するステップと、前記サファイア基板を前記複合構造からリフトさせることができる十分な窒素を前記窒化物材料から実質的に解離させるのに十分なエネルギーを、前記第1の表面の反対側にある前記サファイア基板の第2の表面に照射するステップと、前記複合構造から前記サファイア基板をリフトするステップと、前記複合構造から金属残留物を除去するステップとを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02 B
