特許
J-GLOBAL ID:200903095576378196

熱電半導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武 顕次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-197790
公開番号(公開出願番号):特開平10-041553
出願日: 1996年07月26日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 特性ならびに信頼性に優れた熱電半導体を提供する。【解決手段】 半導体粉末層4と、その半導体粉末層4の電極21、22と対向する側の両端面に配置され、電極接合用材料20と前記半導体4との反応を抑制する金属層14とが一体に焼結されて、前記半導体粉末の焼結層13が金属層14を介して電極接合用材料20により電極21、22に接合されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体粉末層と、その半導体粉末層の電極と対向する側の両端面に配置され、電極接合用材料と前記半導体との反応を抑制する金属層とが一体に焼結されて、前記半導体粉末の焼結層が金属層を介して電極接合用材料により電極に接合されていることを特徴とする熱電半導体。
IPC (4件):
H01L 35/08 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34 ,  B22F 7/00
FI (4件):
H01L 35/08 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34 ,  B22F 7/00 Z

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