特許
J-GLOBAL ID：200903095576863175
太陽電池の半田部形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003239
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209115
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 Ag等を主成分とする半田下地部を形成せずに、直接裏面電極上に半田部を形成する。【構成】 シリコン基板11の裏面にAl等の3価の金属を主成分とする金属ペーストを塗布し、これを焼成することによって裏面電極15を形成し、この裏面電極15の上に微量元素してZnを含有するPb-Sn系半田によって半田部17を形成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
太陽電池の裏面電極上に半田部を形成する方法であって、3価の金属を主成分とする金属ペーストを塗布し、これを焼成することによって前記裏面電極を形成する工程と、微量元素としてZnを含有するPb-Sn系半田によって前記裏面電極上に前記半田部を形成する工程とを備える、太陽電池の半田部形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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