特許
J-GLOBAL ID：200903095577961430
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121378
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 反射防止膜に被覆された下層配線材料層へコンタクトを形成する場合に、下層配線材料層へダメージを与えずに低抵抗コンタクトを実現する。【構成】 上面にTiON反射防止膜2を有するAl-1%Si層1上でPSG層間絶縁膜3にビアホール3aを開口する場合、TiON反射防止膜2が露出したところでイオン・モードによるエッチングを終了し、レジストを剥離した後、ウェハをアンモニア-過酸化水素混合溶液に浸漬し、比抵抗の高いTiON反射防止膜2を選択的に除去する。これにより、上層配線を形成した後にもコンタクト抵抗が増大しない。また、この除去工程はウェット・エッチングなので、従来のように下地のAl-1%Si層1のスパッタ生成物がビアホールの側壁部に再付着する虞れがなく、上層配線のカバレッジも改善される。
請求項（抜粋）：
反射防止膜で被覆された下層配線材料層の上に積層された絶縁膜を選択的にエッチングして接続孔を開口する工程と、前記接続孔の底面に露出した前記反射防止膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
